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低電壓高電流直流電子負(fù)載-科億維電氣

電子產(chǎn)品的任何測(cè)試，都會(huì)有對(duì)于測(cè)試精度還有處理速度的要求。而在汽車(chē)發(fā)電機(jī)的測(cè)試中，由于發(fā)電機(jī)的啟動(dòng)是一個(gè)短時(shí)間的過(guò)程，而在這個(gè)較短的時(shí)間內(nèi)，在發(fā)電機(jī)的內(nèi)部又會(huì)產(chǎn)生較大的變化。在這樣的情況下，工程師們當(dāng)然會(huì)關(guān)注測(cè)試儀器的采樣和記錄數(shù)據(jù)的速率。直流電子負(fù)載都是采用新的CPU控制技術(shù)，儀器內(nèi)部采樣速率比較高，數(shù)據(jù)更新速率也很快，電壓/電流的量測(cè)速率能夠高達(dá)50KHZ，它的分辨率還可高達(dá)0.1mV/0.01mA，這樣在發(fā)電機(jī)的測(cè)試中，它就完全可以確保測(cè)試的性。同時(shí)，測(cè)試過(guò)程中的數(shù)據(jù)，如電壓、電流、功率等會(huì)實(shí)時(shí)顯示在儀器面板上，方便實(shí)時(shí)觀測(cè)和記錄，及時(shí)發(fā)現(xiàn)異常。數(shù)字式的操作界面，也方便設(shè)定測(cè)試數(shù)據(jù)。

電子負(fù)載是通過(guò)控制和調(diào)整跨接在其輸入端的FET功率場(chǎng)效應(yīng)管RDS，似乎將多臺(tái)電子負(fù)載串聯(lián)應(yīng)該沒(méi)有什么大問(wèn)題。如圖2所示，假如我們將兩臺(tái)串聯(lián)的電子負(fù)載都設(shè)置為CC模式，而且設(shè)置為完全相同的電流值，譬如都設(shè)置為10.00A。但實(shí)際上電子負(fù)載不可能是的10.00A，如果其中一臺(tái)實(shí)際為9.99A，而另外一臺(tái)為10.01A。這樣一來(lái)，電子負(fù)載2就不可能達(dá)到其設(shè)置值，因此，它就不停的減小FET的RDS直到0（短路），這樣所有的電壓就全部加載到電子負(fù)載1上使得它過(guò)壓損壞。

　　也有人建議兩臺(tái)電子負(fù)載分別工作于恒流CC模式和恒壓CV模式，而且這似乎可以實(shí)現(xiàn)設(shè)定電壓、電流點(diǎn)的工作狀態(tài)。但是如何讓這兩臺(tái)電子負(fù)載進(jìn)入到設(shè)定的CC及CV工作點(diǎn)？

　　假設(shè)我們先設(shè)定好電子負(fù)載，然后再將負(fù)載連接到被測(cè)電源，設(shè)定于CC模式的電子負(fù)載因?yàn)闆](méi)有任何電流，因此將FET的RDS設(shè)置為0（短路）；而設(shè)定于CV模式的電子負(fù)載因?yàn)闆](méi)有任何電壓，將FET的RDS設(shè)置為+∞

　?。ㄩ_(kāi)路）。所以在電源接入的瞬間，電源上的所有電壓100V都加載到CV模式的負(fù)載上，就可能損壞。

每個(gè)可編程直流負(fù)載表控制模塊都有一個(gè)環(huán)境溫度短路保護(hù)，當(dāng)內(nèi)部環(huán)境溫度超過(guò)安全極，該保護(hù)可完全自動(dòng)關(guān)閉驅(qū)動(dòng)負(fù)載。在過(guò)溫保護(hù)之后，狀態(tài)寄存器中的溫度(OT)和環(huán)境溫度不正確(TE)數(shù)據(jù)位是有用的，并一直保留到復(fù)位。LOAD鍵可以重置狀態(tài)選項(xiàng)卡。

當(dāng)待檢測(cè)電源的輸入電壓反向時(shí)，返向電流流過(guò)可編程DC負(fù)載表，其更大的安全電流根據(jù)負(fù)載類(lèi)型而變化。如果要檢測(cè)的電源電壓的返回電流超過(guò)可編程DC負(fù)載表的負(fù)載容量，則負(fù)載經(jīng)常被破壞。因此，在檢測(cè)到反向電壓后，應(yīng)立即斷開(kāi)要測(cè)試的開(kāi)關(guān)電源，檢查正負(fù)極并重新連接。LOAD(加載)按鈕重置狀態(tài)選項(xiàng)卡。